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全球首個大規模小間距微光電芯片項目落戶鄂州

2019年05月15日 08:49
來源:湖北日報

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4月26日,鄂州市發改委官網發布,全球首個大規模小間距微光電(Mini/Micro LED)芯片項目落戶鄂州葛店經濟開發區,總投資120億元。

微發光二極管體積是目前主流LED的1%,其優勢在于既有高亮度、高可靠度及反應時間快等特點,又有自發光特性,易實現節能效果。據介紹,該項目占地700畝,由三安光電股份有限公司投資建設,并將得到國家集成電路產業大基金和湖北省長江產業基金的支持,項目建設周期3.5年,一期工程2年內投產。

三安光電葛店基地項目建成達產后,將形成年產Mini LED芯片210萬片、Micro LED芯片26萬片的研發制造能力,產品主要提供給三星、華為、蘋果等全球知名公司。

目前,鄂州市正協調各有關部門做好服務工作,確保三安光電葛店基地項目盡快投產達效。中電時空信息技術研究院有關專家表示,該項目是全球首個大規模基于第三代半導體、代表新型顯示產業方向的光電芯片項目,對推動湖北乃至國家光電信息產業發展具有重要意義。(戴勁松)

 
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